Intel подтвердила ребрендинг своих литографических технологий и представила масштабный план по возвращению лидерства к 2025 году

Intel подтвердила ребрендинг своих литографических технологий и представила масштабный план по возвращению лидерства к 2025 году

В марте Intel представила новую стратегию и объявила о намерении верн..

Intel подтвердила ребрендинг своих литографических технологий и представила масштабный план по возвращению лидерства к 2025 году

Intel подтвердила ребрендинг своих литографических технологий и представила масштабный план по возвращению лидерства к 2025 году

В марте Intel представила новую стратегию и объявила о намерении вернуться к стратегии «тик-так» с двухлетним циклом чередования новых архитектур и технологических норм. Сегодня Intel провела онлайн-трансляцию Intel Accelerated, на которой новоиспеченный CEO Пэт Гелсинджер представил дополнение — план по возвращению лидерства на рынке процессоров к 2025 году.

Новая схема обозначения техпроцессов

Частью этого масштабного плана стала новая схема обозначения литографических технологий. То есть, да, мартовские слухи о намерении Intel прибегнуть к ребрендингу техпроцессов оказались правдивыми. Процессоры Core 12-го поколения (Alder Lake-S) для массовой платформы LGA1700, который дебютируют в конце этого года, ознаменуют отказ от классической нанометровой номенклатуры в пользу новой схемы именования. По словам компании, она обеспечит «более точное представление о технологических узлах в отрасли» и о том, как продукты Intel вписываются в эту новую, современную модель.

С первого взгляда может показаться, что это дешевая маркетинговая уловка, призванная сделать грядущие 10-нм чипы Intel более конкурентоспособными по сравнению с продуктами AMD, которые уже перешли на 7-нм узел TSMC, или 5-нм чипами Apple M1. И хотя формально так оно и есть, на самом деле все не так просто. Общеизвестно, что топологическая длина канала, которая долгое время выступала основным мерилом проектных норм в микроэлектронике, уже давно отошла на задний план, и нет никакого практического смысла в указываемых производителями нанометрах. Еще в 2017 году Intel утверждала, что их 10-нанометровый техпроцесс на целое поколение опережает 10-нанометровые технологии конкурентов, призывая последних покончить с дутыми нанометрами. И независимые оценки подтверждают, что с точки зрения плотности упаковки и размеров отдельных транзисторов техпроцесс 10-нм SuperFin примерно соответствует конкурирующим 7-нм техпроцессам TSMC и Samsung. С этой точки зрения справедливо сказать, что новая номенклатура Intel не лишена смысла и логики, хотя он еще сильнее затрудняет оценку эволюции проектных норм в микроэлектронике.

Intel подтвердила ребрендинг своих литографических технологий и представила масштабный план по возвращению лидерства к 2025 году
Обновленный роадмап и именование техпроцессов Intel

О планах Intel по выпуску продукции на ближайшее будущее

  • Intel 7 — новое название 10-нанометровой технологии третьего поколения. Это будет улучшенная версия нынешней технологии 10-нм SuperFin, которая используется для выпуска актуальных мобильных CPU Tiger Lake. По словам Intel, этот узел дает прирост производительности на ватт в 10–15% выше по сравнению с обычным 10-нм SuperFin.
    • Первые продукты на базе техпроцесса Intel 7 дебютируют уже в этом году — это будут уже анонсированные настольные и мобильные чипы Alder Lake (о ключевых особенностях Alder Lake-S мы уже рассказывали не раз), а также серверные процессоры Sapphire Rapids.
  • Intel 4 — следующий значимый шаг литографии, который изначально назывался 7-нм техпроцессом. Первоначально Intel планировала освоить эту технологию в 2021 году, но летом прошлого года в очередной раз отложила выпуск первых 7-нанометровых продуктов из-за технологических трудностей на полгода — до 2023 года. Именно этот техпроцесс должен стать краеугольным камнем технологий компании в 2023 году, когда начнется массовая поставка соответствующей продукции. Он ознаменует переход к литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), которую уже используют Samsung и TSMC в собственных 5-нанометровых техпроцессах. На этом шаге Intel продолжит использовать транзисторы FinFET (технология дебютировала вместе с узлом 22 нм в мае 2011 года). Благодаря множеству улучшений Intel 4 обеспечит плотность транзисторов на уровне 200–250 миллионов штук на 1 мм2 по сравнению с примерно 171,3 млн транзисторов на мм² в нынешнем 5-нм узле TSMC. Компания обещает прирост производительности на ватт на 20% по сравнению с Intel 7.
    • Первые продукты на основе Intel 4 — потребительские процессоры Meteor Lake (Core 14-го поколения), которые ожидаются в первой половине 2023 года, и серверные Granite Rapids.
  • Intel 3 — второе поколение 7-нм техпроцесса Intel по старой номенклатуре. Intel планирует освоить этот узел во второй половине 2023 года. Архитектура транзисторов останется прежней — FinFET, но дополнительные оптимизации и EUV обеспечат 18% прирост производительности на ватт. Пока информации о продуктах на базе Intel 3 нет, но раньше 2024 года они не выйдут.
  • Intel 20A — название следующего поколения технологий Intel, которая по старой схеме обозначало архитектуру, следующую за 7-нм техпроцессом. В Intel 20A на замену FinFET придет новая архитектура под названием RibbonFET — реализация концепции транзистора с кольцевыми затворами gate-all-around FET, которая должна помочь преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП, обусловленные монолитной вертикальной конструкцией «плавник» канала FinFET транзистора под затвором. У Samsung такие транзисторы будут называться Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) и использоваться при техпроцессе 3 нм. Частью Intel 20A также станет инновационная технология межслойных соединений PowerVia, которая позволяет питать пластины с тыльной стороны чипа. Intel 20A ознаменует переход в «эру Ангстрема» в дизайне полупроводников. Это единица измерения длины, которая меньше нанометра (1 Å = 0,1 нм = 100 пм). О будущих продуктах Intel 20A пока нет никаких данных. Освоить технологию Intel 20A компания планирует в 2024 году. Что интересно, Intel рассчитывает вернуться к стратегии «тик-так» с двухлетним циклом чередования новых архитектур и технологических норм как раз в 2024-2025 годах.
  • Intel подтвердила ребрендинг своих литографических технологий и представила масштабный план по возвращению лидерства к 2025 годуIntel 18A — самый отдаленный узел в текущих планах Intel. Он принесет второе поколение технологии RibbotFET для «еще одного существенного скачка в производительности транзисторов». В Intel уже приступили к разработке Intel 18A и рассчитывают освоить технологию в начале 2025 года и с ней вернуть себе звание лидера полупроводниковой индустрии.

Технологии упаковки Foveros Omni и Foveros Direct

В рамках Intel Accelerated компания также рассказала о двух крупных обновлениях технологии объемной компоновки Intel Foveros 3D, знакомой по SoC Lakefield. Технология Intel Foveros позволяет создавать сложные многокристальные решения, упаковывая вычислительные блоки и необходимые сопутствующие компоненты, изготовленные с использованием разных технологических процессов, в одном корпусе. Причем блоки размещаются вторым слоем поверх базового кристалла, на котором сформированы блоки ввода-вывода, память SRAM и цепи питания, позволяя создавать более компактные решения по сравнению с классическим монолитным дизайном.

Intel подтвердила ребрендинг своих литографических технологий и представила масштабный план по возвращению лидерства к 2025 году

В будущих потребительских процессорах Meteor Lake (Core 14-го поколения), которые будут построены на техпроцессе Intel 4 и ожидаются в первой половине 2023 года, дебютирует второе поколение Foveros, которая позволит объединять три кристалла (CPU c x86-ядрами, GPU и интегрированный северный мост).

Разновидность технологии Foveros Omni позволит укладывать стопкой еще большее количество разнообразных чипов, упростив сочетание и объединение плиток вне зависимости от их размера — например, позволяя использовать базовую плитку, которая меньше, чем верхняя плитка в стопке. В некотором смысле Foveros Omni — аналог ARM DynamIQ, которая обеспечивает более гибкий подход по сравнению с big.LITTLE и позволяет создавать кластеры, включающие совершенно разные процессорные ядра. В то же время Foveros Direct обеспечит прямые медные кросс-соединения между компонентами, тем самым уменьшая сопротивление и компенсируя поверхностные неровности. Обе новые технологии Foveros планируется запустить в 2023 году.

Intel подтвердила ребрендинг своих литографических технологий и представила масштабный план по возвращению лидерства к 2025 году

***

Новая схема именования может помочь Intel в переконтекстуализации ее нынешних и будущих продуктов, и они будут восприниматься лучше на фоне конкурирующих решений. Но факт остается фактом — Intel отстает. К тому же, конкуренты тоже не стоят на месте: TSMC и Samsung вовсю работают над освоением техпроцесса 3 нм (или какие бы названия они в итоге не выбрали), а AMD уже разработала свой вариант технологии упаковки Foveros 3D под названием 3D Vertical Cache.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

Следующая запись

Україна запустила безоплатний тренувальний модуль навичок володіння комп’ютером (ICDL) – «Український цифровий громадянин»

Вт Июл 27 , 2021
Україна запустила безоплатний тренувальний модуль навичок володіння комп’ютером (ICDL) – «Український цифровий громадянин» За підтримки Міністерства цифрової трансформації України на сайті «Дія.Цифр..